Samsung Electronics hari Kamis mengumumkan telah mengembangkan modul memori DDR5 512 GB.Ini adalah DRAM pertama perusahaan yang dirancang dengan standar DDR5 terbaru yang ditetapkan oleh JEDEC pada Juli tahun lalu.
Perangkat keras tersebut, dibuat dengan teknologi proses High-K Metal Gate (HKMG), menawarkan kecepatan transfer data hingga 7.200 Mbps, lebih dari dua kali lipat dari DDR4 konvensional, kata Samsung. Perusahaan menumpuk delapan lapisan chip DRAM 16GB untuk modul tersebut, katanya.
Memori akan mampu menangani beban kerja bandwidth tinggi dalam aplikasi seperti komputasi kinerja tinggi, kecerdasan buatan, pembelajaran mesin, dan analisis data, tambah perusahaan.
Menurut raksasa teknologi Korea Selatan, menggunakan teknologi HKMG untuk lapisan insulasi, bukan silikon oxynitride tradisional, akan memungkinkan material terbaru memiliki kebocoran arus yang lebih sedikit dibandingkan dengan memori lainnya.
Ini juga akan memungkinkan memori baru untuk menggunakan daya sekitar 13% lebih sedikit dari pendahulunya, yang akan membuatnya sangat menarik untuk pusat data, kata perusahaan itu.
Raksasa teknologi asal Korea Selatan itu mulai menerapkan teknologi HKMG pada produk memorinya pada 2018. Sejak tahun lalu, ia juga mulai mengaplikasikannya proses ultraviolet ekstrim untuk produksi DRAM-nya.
“Samsung adalah satu-satunya perusahaan semikonduktor dengan kemampuan logika dan memori serta keahlian untuk mengintegrasikan teknologi logika HKMG yang canggih ke dalam pengembangan produk memori,” kata Sohn Young-soo, wakil presiden perencanaan DRAM di Samsung, dalam sebuah pernyataan.
Selain modul 512GB, Samsung saat ini sedang mengambil sampel berbagai variasi keluarga produk memori DDR5 kepada pelanggan untuk verifikasi dan sertifikasi, perusahaan menambahkan.
“Karena jumlah data yang akan dipindahkan, disimpan, dan diproses secara eksponensial meningkat, transisi ke DDR5 berada pada titik perubahan kritis untuk pusat data cloud, jaringan, dan penerapan edge,” kata Carolyn Duran, wakil presiden memori dan teknologi IO Intel. .
“Tim teknik Intel bermitra erat dengan para pemimpin memori seperti Samsung untuk menghadirkan memori DDR5 yang cepat dan hemat daya yang dioptimalkan untuk kinerja dan kompatibel dengan prosesor Intel Xeon Scalable masa depan kami, yang kode namanya adalah Sapphire Rapids.”
Rekan senegara Samsung SK Hynix meluncurkan DRAM DDR5 pertamanya pada bulan Oktober tahun lalu.
Cakupan terkait
“Ninja internet yang tak tersembuhkan. Ahli daging. Sangat introvert. Analis. Pakar musik. Pendukung zombie.”
